Donaciones 15 de septiembre 2024 – 1 de octubre 2024 Acerca de la recaudación de fondos

Búsqueda de palabras clave

  • Main
  • Búsqueda de palabras clave
1
Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы

Пасынков В.В., Чиркин Л.К.
носителей
заряда
рис
тока
перехода
напряжения
транзистора
диода
базы
полупроводника
ток
неосновных
концентрации
напряжение
переход
базе
области
эмиттера
переходе
сопротивления
поля
электрического
сопротивление
примесей
электронов
коллектора
диодов
вах
коэффициент
дырок
диод
происходит
полупроводниковых
характеристики
поверхности
температуры
переходов
передачи
транзисторов
концентрация
кремния
значения
базой
тиристора
больших
результате
называют
переходом
токов
типа
Año:
1987
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 3.93 MB
0 / 0
russian, 1987
2
Полупроводниковые приборы. Учебник для вузов по специальности «Полупроводники и диэлектрики» и «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы»

Полупроводниковые приборы. Учебник для вузов по специальности «Полупроводники и диэлектрики» и «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы»

Владимир Васильевич Пасынков, Лев Константинович Чиркин.
носителей
заряда
рис
тока
перехода
напряжения
транзистора
диода
базы
полупроводника
ток
неосновных
концентрации
напряжение
переход
базе
области
эмиттера
переходе
сопротивления
поля
электрического
сопротивление
примесей
электронов
коллектора
диодов
вах
коэффициент
дырок
диод
происходит
полупроводниковых
характеристики
поверхности
температуры
переходов
передачи
транзисторов
концентрация
кремния
значения
базой
тиристора
больших
результате
называют
переходом
токов
типа
Año:
1987
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 3.93 MB
0 / 0
russian, 1987
3
Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы

Пасынков В.В., Чиркин Л.К.
носителей
заряда
рис
тока
перехода
напряжения
диода
транзистора
базы
ток
полупроводника
неосновных
базе
переход
области
поля
концентрации
напряжение
переходе
эмиттера
электронов
сопротивления
примесей
сопротивление
электрического
диодов
вах
коллектора
коэффициент
диод
дырок
происходит
переходов
ния
базой
кремния
полупроводниковых
поверхности
температуры
типа
характеристики
значения
концентрация
передачи
больших
транзисторов
токов
переходом
результате
тиристора
Año:
2002
Idioma:
russian
Archivo:
PDF, 18.43 MB
0 / 0
russian, 2002
4
Основы транзисторной электроники

Основы транзисторной электроники

Агаханян Т.М.
носителей
заряда
тока
транзистора
перехода
рис
области
ток
напряжения
базы
неосновных
определяется
переход
коллектора
электронов
эмиттера
область
коллекторного
транзисторов
рекомбинации
дырок
токов
базе
характеристики
концентрации
напряжение
величины
сопротивление
эмиттерного
плотности
примесей
коэффициент
переходе
типа
изменение
основных
канала
инжекции
коэффициента
приводит
смещения
проводимости
концентрация
генерации
передачи
изменением
слое
транзистор
вольт
кристалла
Año:
1974
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 6.11 MB
0 / 0
russian, 1974
5
Основы транзисторной электроники

Основы транзисторной электроники

Агаханян Т.
заряда
тока
носителей
перехода
транзистора
ток
области
рис
базы
напряжения
неосновных
определяется
переход
эмиттера
область
электронов
коллектора
токов
дырок
базе
рекомбинации
транзисторов
коллекторного
концентрации
напряжение
характеристики
сопротивление
величины
эмиттерного
переходе
изменение
плотности
коэффициент
типа
примесей
основных
канала
слое
приводит
прп
передачи
инжекции
транзистор
кристалла
слоя
смещения
стока
вольт
концентрация
рпс
Idioma:
russian
Archivo:
PDF, 10.86 MB
0 / 0
russian
6
Расчет и проектирование полупроводниковых приборов

Расчет и проектирование полупроводниковых приборов

Глебов Г.Д. (ред.)
фиг
области
тока
ток
напряжения
носителей
типа
перехода
коллектора
заряда
сопротивление
эмиттера
триода
триодов
область
сопротивления
напряжение
дырок
базы
базовой
переход
проводимости
поверхности
электронов
усиления
значения
неосновных
зависимость
проводимость
коэффициент
уравнения
насыщения
поля
определяется
слоя
величина
зависимости
величины
концентрация
канала
характеристики
получить
концентрации
переходов
рекомбинации
уравнение
phys
частоты
емкость
зависит
Año:
1963
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 10.15 MB
0 / 0
russian, 1963
7
Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники

Старосельский В.И.
рис
тока
βαχ
носителей
базы
заряда
напряжения
транзистора
электронов
ток
мдпт
перехода
области
канала
эмиттера
опз
базе
мдп
транзисторы
напряжение
диода
дырок
транзисторов
концентрации
определяется
неосновных
поля
модели
viii
емкости
gaas
стока
зависит
исток
токов
коэффициент
значения
инжекции
примеси
коллектора
канале
переходе
составляет
типа
эмиттерного
vbc
эффект
затвор
рекомбинации
уравнения
Año:
2009
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 6.23 MB
0 / 0
russian, 2009
8
Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники

Старосельский В.И.
рис
тока
βαχ
носителей
базы
заряда
напряжения
транзистора
электронов
ток
мдпт
перехода
области
канала
эмиттера
опз
базе
мдп
транзисторы
напряжение
диода
дырок
транзисторов
концентрации
определяется
неосновных
поля
модели
viii
емкости
gaas
стока
зависит
исток
токов
коэффициент
значения
инжекции
примеси
коллектора
канале
переходе
составляет
типа
эмиттерного
vbc
эффект
затвор
рекомбинации
уравнения
Año:
2009
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 6.23 MB
0 / 0
russian, 2009
9
Фотоэлектрические явления в полупроводниках

Фотоэлектрические явления в полупроводниках

Рывкин С.М.
рис
носителей
электронов
фотопроводимости
тока
рекомбинации
концентрации
дырок
уровней
следовательно
прилипания
неравновесных
релаксации
области
проводимости
эдс
возбуждения
зависимость
полупроводниках
неосновных
ловушек
уровня
условиях
ток
интенсивности
концентрация
поля
освещения
образца
ферми
рекомбинация
определяется
фотопроводимость
зоне
получаем
фото
интенсивность
результате
полупроводника
величина
кривые
зависимости
центров
диффузии
уровни
кривой
схема
уровень
захвата
наличии
Año:
1963
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 9.57 MB
0 / 0
russian, 1963
10
Фотоэлектрические явления в полупроводниках

Фотоэлектрические явления в полупроводниках

Рывкин С.М.
рис
носителей
электронов
тока
фотопроводимости
рекомбинации
концентрации
дырок
уровней
следовательно
прилипания
неравновесных
релаксации
области
проводимости
эдс
возбуждения
зависимость
ловушек
неосновных
полупроводниках
уровня
условиях
ток
поля
интенсивности
концентрация
зоне
образца
ферми
определяется
освещения
рекомбинация
фотопроводимость
получаем
фото
результате
интенсивность
полупроводника
величина
кривые
центров
зависимости
диффузии
уровень
кривой
схема
уровни
зону
поле
Año:
1963
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 9.90 MB
0 / 0
russian, 1963
11
Транзисторы.Физическме основы и свойства

Транзисторы.Физическме основы и свойства

Рейнгольд П.
транзистора
тока
носителей
рис
эмиттера
области
коллектора
базы
ток
заряда
напряжения
концентрации
слоя
транзисторов
запирающего
схемы
замещения
напряжение
коэффициент
базе
перехода
зависимость
насыщения
зависимости
частоты
транзистор
неосновных
сопротивление
значения
зависит
коэффициента
пробоя
мощности
сопротивления
характеристик
схема
проводимости
вследствие
параметров
температуры
токов
проводимость
область
причем
свойства
характеристики
поверхности
запирающем
распределения
емкости
Año:
1973
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 9.40 MB
0 / 0
russian, 1973
12
Элементы интегральных схем

Элементы интегральных схем

Маллер Р., Кейминс Т.
рис
области
моп
транзистора
носителей
заряда
напряжения
ток
типа
тока
электронов
перехода
кремния
напряжение
концентрации
уравнения
уравнение
помощью
поверхности
концентрация
область
заряд
канала
примеси
приборов
объемного
дырок
смещения
режиме
транзисторов
модели
поля
примесей
мкм
ферми
транзисторы
рекомбинации
полупроводник
металл
структуры
зависимость
поле
зависит
кремний
следовательно
базы
показано
диффузии
обедненной
переход
Año:
1989
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 9.27 MB
0 / 0
russian, 1989
13
Твердотельная электроника. Учебное пособие

Твердотельная электроника. Учебное пособие

Легостаев Н.С., Троян П.Е, Четвергов К.В.
заряда
носителей
тока
напряжения
рис
перехода
транзистора
электронов
ток
ϕt
базы
области
exp
полупроводника
напряжение
определяется
характеристики
концентрации
режиме
ϕ
выражение
переход
сопротивление
эмиттера
дырок
переходе
поля
коэффициент
неосновных
сопротивления
электрического
насыщения
проводимости
типа
базе
мдп
общим
выражением
канала
температуры
рекомбинации
емкость
коллектора
уравнение
выражения
направлении
электрона
область
передачи
const
Idioma:
russian
Archivo:
PDF, 3.84 MB
0 / 0
russian
14
Твердотельная электроника

Твердотельная электроника

Легостаев Н.С., Троян П.Е, Четвергов К.В.
заряда
носителей
тока
напряжения
рис
перехода
транзистора
электронов
ток
ϕt
базы
области
exp
полупроводника
напряжение
определяется
характеристики
концентрации
режиме
ϕ
выражение
переход
сопротивление
эмиттера
дырок
переходе
поля
коэффициент
неосновных
сопротивления
электрического
насыщения
проводимости
типа
базе
мдп
общим
выражением
канала
температуры
рекомбинации
емкость
коллектора
уравнение
выражения
направлении
электрона
область
передачи
const
Año:
2007
Idioma:
russian
Archivo:
PDF, 3.09 MB
0 / 0
russian, 2007
15
Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках: Учебное пособие

Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках: Учебное пособие

Устюжанинов В.Н., Фролова Т.Н.
носителей
области
перехода
тока
концентрации
напряжения
неосновных
прямого
процессов
рис
базовой
концентраций
переходного
смещения
примесей
электронов
процесса
поглощения
импульса
базы
неравновесных
дырок
границе
переходных
заряда
концентрация
диода
зависимость
распределение
распределения
полупроводника
координате
переходе
зависимости
обратного
рекомбинации
токов
цепи
воздействии
изменения
уравнения
переход
ϕt
излучений
условия
задачи
значения
процессы
т.е
условие
Año:
2002
Idioma:
russian
Archivo:
PDF, 1.06 MB
0 / 0
russian, 2002
16
Электронные приборы

Электронные приборы

Аваев Н.А., Шишкин Г.Г.
рис
электронов
ток
тока
перехода
носителей
области
напряжение
напряжения
поля
базы
типа
приборов
т.е
заряда
электроны
поверхности
транзистора
сопротивление
коэффициент
слоя
определяется
свч
емкость
энергии
электрического
приборы
концентрации
область
характеристики
вах
переход
примесей
параметры
транзисторов
режиме
слой
значения
ростом
скорость
дырок
емкости
рекомбинации
диода
параметров
пробоя
меньше
мощность
неосновных
уменьшается
Año:
1996
Idioma:
russian
Archivo:
PDF, 60.45 MB
0 / 0
russian, 1996
17
Четырехслойные полупроводниковые приборы

Четырехслойные полупроводниковые приборы

Кузьмин В.А., Сенаторов К.Я.
тока
напряжения
рис
приборов
прибора
ток
выключения
перехода
типа
носителей
прибор
напряжение
базы
базе
дырок
импульса
неосновных
сопротивление
приборе
переключения
включения
заряда
вольт
цепи
зависимость
области
переход
процесса
измерения
сопротивления
схема
температуры
определяется
приборы
переходов
электронов
величина
характеристики
переходе
полупроводниковых
диода
инжекции
режиме
заряд
процесс
состоянии
базах
схеме
мксек
уменьшается
Año:
1967
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 2.96 MB
0 / 0
russian, 1967
18
Твердотельная электроника : учеб. пособие для студентов вузов, обучающихся по направлению подгот. бакалавров, магистров 010700 Физика и специальности 010701 Физика&quot

Твердотельная электроника : учеб. пособие для студентов вузов, обучающихся по направлению подгот. бакалавров, магистров 010700 Физика и специальности 010701 Физика&quot

Гуртов, Валерий Алексеевич
тока
области
носителей
напряжения
мдп
рис
заряда
транзистора
ток
электронов
перехода
рисунке
полупроводника
величина
опз
ψs
потенциала
напряжение
зависимость
поля
диода
канала
типа
концентрация
концентрации
вольт
базы
характеристики
мкм
получаем
vds
поверхности
gaas
дырок
ферми
коэффициент
заряд
значения
сопротивление
зависимости
электрического
ϕ
запрещенной
область
схема
основе
полупроводник
проводимости
диаграмма
неосновных
Año:
2005
Idioma:
russian
Archivo:
PDF, 3.09 MB
0 / 0
russian, 2005
19
Твердотельная электроника: Учеб. пособие

Твердотельная электроника: Учеб. пособие

В. А. Гуртов
тока
области
носителей
напряжения
мдп
рис
заряда
транзистора
ток
электронов
перехода
рисунке
полупроводника
величина
опз
ψs
потенциала
напряжение
зависимость
поля
диода
канала
типа
концентрация
концентрации
вольт
базы
характеристики
мкм
получаем
vds
поверхности
gaas
дырок
ферми
коэффициент
заряд
значения
сопротивление
зависимости
электрического
ϕ
запрещенной
область
схема
основе
полупроводник
проводимости
диаграмма
неосновных
Año:
2005
Idioma:
russian
Archivo:
PDF, 3.53 MB
0 / 0
russian, 2005
20
Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах

Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах

Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М.
облучения
облучении
тока
рис
области
напряжения
заряда
дефектов
изменения
электронов
диодов
неосновных
перехода
концентрации
излучения
кремния
зависимость
нейтронами
электронами
атомов
энергией
носителей
дефекты
зависимости
кремнии
транзисторов
радиации
гамма
отжига
напряжение
энергии
коэффициент
радиационные
phys
влияние
зависит
радиационных
ток
дозы
скорость
типа
потока
приборов
проводимости
концентрация
нейтронов
изменение
мэв
результате
рекомбинации
Año:
1978
Idioma:
russian
Archivo:
PDF, 100.72 MB
0 / 0
russian, 1978
21
Основы физики микроэлектронных систем

Основы физики микроэлектронных систем

Литовченко, Горбань.
мдп
рис
sio2
заряда
поверхности
области
кремния
носителей
окисла
раздела
phys
опз
структуры
зависимости
слоя
типа
центров
зависимость
напряжения
поверхностного
surface
пэс
границы
поля
поверхностных
окисления
емкости
полупроводника
системы
генерации
связи
пзс
зон
различных
структур
неосновных
silicon
влияние
проводимости
appl
порядка
работе
вблизи
электронов
систем
слой
структурах
наиболее
характеристики
границе
Año:
1978
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 3.83 MB
0 / 0
russian, 1978
22
Твердотельная электроника

Твердотельная электроника

Легостаев Н.С., Четвергов К.В.
заряда
тока
напряжения
носителей
перехода
транзистора
ток
базы
области
напряжение
полупроводника
рис
электронов
переход
ϕt
коэффициент
переходе
мдп
режиме
uзи
эмиттера
определяется
сопротивление
характеристики
канала
uси
exp
полупроводник
насыщения
поля
область
сопротивления
типа
электрического
емкость
коллектора
концентрации
передачи
неосновных
общим
коллекторного
проводимости
транзисторов
металл
транзисторы
концентрация
характеристик
переходов
стока
дырок
Idioma:
russian
Archivo:
PDF, 2.11 MB
0 / 0
russian
23
Электронные приборы

Электронные приборы

Аваев Н. А.
рис
электронов
тока
ток
напряжения
перехода
напряжение
носителей
области
поля
типа
базы
т.е
приборов
заряда
транзистора
электроны
поверхности
сопротивление
слоя
коэффициент
по­
свч
энергии
вах
емкость
электрического
определяется
приборы
режиме
на­
значения
область
слой
транзисторов
характеристики
емкости
концентрации
переход
примесей
параметры
скорости
канала
ростом
скорость
диода
меньше
уменьшается
дырок
пробоя
Idioma:
russian
Archivo:
PDF, 20.18 MB
0 / 0
russian
24
Солнечные элементы: Теория и эксперимент

Солнечные элементы: Теория и эксперимент

Фаренбрух А., Бьюб Р.
носителей
заряда
рис
элементов
слоя
солнечных
phys
области
поверхности
элемента
тока
gaas
раздела
границе
proc
appl
концентрации
рекомбинации
conf
барьера
перехода
voc
солнечного
слое
типа
значения
основе
photovoltaic
кпд
слой
зависимости
напряжения
мкм
electron
specialists
смещения
электронов
примеси
проводимости
энергии
помощью
элементах
границы
зависимость
влияние
переноса
характеристики
неосновных
элементы
методом
Año:
1987
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 4.14 MB
0 / 0
russian, 1987
25
Солнечные элементы: Теория и эксперимент

Солнечные элементы: Теория и эксперимент

А.Фаренбрух А., Бьюб Р.
носителей
заряда
рис
элементов
слоя
солнечных
phys
области
поверхности
элемента
тока
gaas
раздела
proc
границе
концентрации
conf
рекомбинации
appl
барьера
перехода
voc
photovoltaic
солнечного
слое
типа
значения
основе
specialists
зависимости
кпд
electron
напряжения
слой
мкм
примеси
смещения
электронов
проводимости
энергии
помощью
зависимость
элементах
границы
влияние
методом
переноса
зерен
характеристики
элементы
Año:
1987
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 4.26 MB
0 / 0
russian, 1987
26
Солнечные элементы.Теория и эксперимент

Солнечные элементы.Теория и эксперимент

Фаренбрух А., Бьюб Р.
носителей
заряда
рис
элементов
слоя
солнечных
phys
области
поверхности
элемента
тока
gaas
раздела
границе
proc
appl
концентрации
рекомбинации
conf
барьера
перехода
voc
солнечного
слое
типа
значения
основе
photovoltaic
кпд
слой
зависимости
напряжения
мкм
electron
specialists
смещения
электронов
примеси
проводимости
энергии
помощью
элементах
границы
зависимость
влияние
переноса
характеристики
неосновных
элементы
методом
Año:
1987
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 4.14 MB
0 / 0
russian, 1987
27
Солнечные элементы: теория и эксперимент

Солнечные элементы: теория и эксперимент

Фаренбрух, А.Л., Бьюб, Р.Х.
носителей
заряда
рис
элементов
слоя
солнечных
phys
области
поверхности
элемента
gaas
тока
раздела
proc
границе
appl
концентрации
рекомбинации
conf
барьера
перехода
voc
солнечного
слое
типа
photovoltaic
значения
основе
specialists
кпд
electron
мкм
зависимости
напряжения
слой
примеси
смещения
электронов
проводимости
энергии
помощью
элементах
границы
зависимость
влияние
переноса
характеристики
неосновных
элементы
методом
Año:
1987
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 4.92 MB
0 / 0
russian, 1987
28
Солнечные элементы: теория и эксперимент

Солнечные элементы: теория и эксперимент

Фаренбрух А., Бьюб Р. (A.L.Fahrenbruch, R.H.Bube)
носителей
заряда
рис
элементов
слоя
солнечных
phys
области
поверхности
элемента
gaas
тока
раздела
proc
границе
appl
концентрации
рекомбинации
conf
барьера
перехода
voc
солнечного
слое
типа
photovoltaic
значения
основе
specialists
кпд
electron
мкм
зависимости
напряжения
слой
примеси
смещения
электронов
проводимости
энергии
помощью
элементах
границы
зависимость
влияние
переноса
характеристики
неосновных
элементы
методом
Año:
1987
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 4.92 MB
0 / 0
russian, 1987
29
Введение в теорию транзисторов

Введение в теорию транзисторов

Миддлбрук Р.Д.
тока
области
носителей
рис
базы
транзистора
плотность
плотности
ток
дырок
типа
перехода
проводимости
проводимость
коллектора
переменного
величина
область
неосновных
переходе
эмиттера
напряжения
зоне
электронов
смещения
уравнения
уравнение
схемы
схема
эмиттер
величины
вследствие
коллектор
ферми
заряда
база
значения
теплового
переходом
смещением
примеси
переход
основных
проводимостей
дырочный
подвижных
меньше
емкость
постоянного
токов
Idioma:
russian
Archivo:
PDF, 54.29 MB
0 / 0
russian
30
Электронные приборы

Электронные приборы

Дулин В.Н.
рис
ток
тока
напряжения
электронов
лампы
напряжение
характеристики
носителей
перехода
транзистора
катода
переход
дырок
базы
сетки
цепи
коэффициент
диода
называют
области
режиме
базе
сопротивление
электроны
следовательно
напряж
параметров
концентрации
результате
частиц
переходе
const
заряда
приборов
катод
тся
характеристик
поля
анода
вольт
зарядов
анодного
полупроводника
параметры
поле
величина
величины
область
приборы
Año:
1977
Idioma:
russian
Archivo:
PDF, 14.36 MB
0 / 0
russian, 1977
31
Физика полупроводниковых приборов

Физика полупроводниковых приборов

Зи С.
рис
тока
напряжения
области
носителей
ток
gaas
транзистора
напряжение
типа
зависимость
структуры
electron
перехода
заряда
электронов
характеристики
пробоя
барьера
примеси
концентрации
коэффициент
приведены
зависимости
металл
мдп
вольт
полупроводник
поля
область
проводимости
слоя
определяется
полупроводника
плотность
канала
выражение
насыщения
транзисторы
devices
phys
транзисторов
приборов
концентрация
ферми
дырок
значения
поле
усиления
отметим
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 10.11 MB
0 / 0
russian
32
Физика полупроводниковых приборов

Физика полупроводниковых приборов

Зи С.(Sze)
рис
тока
напряжения
области
носителей
ток
gaas
транзистора
напряжение
типа
зависимость
структуры
electron
перехода
заряда
электронов
характеристики
пробоя
барьера
примеси
концентрации
коэффициент
приведены
зависимости
металл
мдп
вольт
полупроводник
поля
область
проводимости
слоя
определяется
полупроводника
плотность
канала
выражение
насыщения
транзисторы
phys
devices
транзисторов
приборов
концентрация
ферми
дырок
значения
поле
усиления
отметим
Año:
1984
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 10.07 MB
0 / 0
russian, 1984
33
Твердотельная электроника

Твердотельная электроника

Троян П. Е.
перехода
носителей
рис
тока
напряжения
ток
диода
рисунок
полупроводника
электронов
переход
базы
области
вах
проводимости
концентрации
заряда
напряжение
температуры
типа
переходе
определяется
поля
сопротивление
т.е
exp
опз
диодов
диоды
приборов
базе
неосновных
примеси
диод
электрического
сопротивления
полупроводнике
коэффициент
транзистора
дырок
эмиттера
цепи
зависит
переходов
выражение
схема
полупроводник
параметры
поле
концентрация
Idioma:
russian
Archivo:
PDF, 2.90 MB
0 / 0
russian
34
Твердотельная электроника

Твердотельная электроника

Троян П.Е.
перехода
носителей
рис
тока
напряжения
ток
диода
рисунок
полупроводника
электронов
переход
базы
области
вах
проводимости
концентрации
заряда
напряжение
температуры
типа
переходе
определяется
поля
сопротивление
т.е
exp
опз
диодов
диоды
приборов
базе
неосновных
примеси
диод
электрического
сопротивления
полупроводнике
коэффициент
транзистора
дырок
эмиттера
цепи
зависит
переходов
выражение
схема
полупроводник
параметры
поле
концентрация
Año:
2008
Idioma:
russian
Archivo:
PDF, 3.11 MB
0 / 0
russian, 2008
35
Воздействие радиации на интегральные микросхемы

Воздействие радиации на интегральные микросхемы

Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А.
облучения
облучении
имс
рис
заряда
моп
радиации
рад
кремния
транзисторов
типа
напряжения
транзистора
электронов
гамма
мдп
дозы
si02
nucl
приборов
sci
радиационной
результате
тока
микросхем
энергии
мэв
излучения
области
параметров
кмоп
работе
ток
радиационных
radiation
элементов
дефектов
носителей
структур
интегральных
влияние
стойкости
определяется
изменения
неосновных
радиационные
атомов
изменение
кремнии
коэффициент
Año:
1986
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 3.12 MB
0 / 0
russian, 1986
36
Физика полупроводниковых приборов

Физика полупроводниковых приборов

Зи С.
рис
тока
напряжения
области
носителей
ток
gaas
транзистора
напряжение
зависимость
структуры
electron
перехода
типа
заряда
характеристики
электронов
барьера
концентрации
пробоя
примеси
приведены
коэффициент
зависимости
металл
мдп
полупроводник
поля
вольт
проводимости
слоя
область
определяется
полупроводника
плотность
канала
выражение
насыщения
транзисторы
devices
транзисторов
приборов
phys
концентрация
ферми
значения
дырок
поле
усиления
отметим
Año:
1984
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 6.92 MB
0 / 0
russian, 1984
37
Полупроводниковая электроника: курс лекций : учебное пособие для студентов, обучающихся по направлениям подготовки бакалавров "Радиофизика", "Нанотехнологии и микросистемная техника" и специальности "Информационная безопасность автоматизированных систем"

Полупроводниковая электроника: курс лекций : учебное пособие для студентов, обучающихся по направлениям подготовки бакалавров "Радиофизика", "Нанотехнологии и микросистемная техника" и специальности "Информационная безопасность автоматизированных систем"

[Ажеганов Александр Сергеевич, Вольхин Игорь Львович], М-во образования и науки Российской Федерации, Федеральное гос. бюджетное образовательное учреждение высш. проф. образования "Пермский гос. нац. исследовательский ун-т"
рис
типа
электронов
тока
перехода
транзистора
напряжения
ток
носителей
области
заряда
напряжение
переход
полупроводника
базы
полупроводник
дырок
концентрация
базе
концентрации
проводимости
эмиттера
металл
область
электроны
примесей
слой
состоянии
транзисторов
диода
неосновных
переходе
примеси
коллектора
уровень
транзистор
схема
диаграмма
кремния
зонная
ферми
равновесия
схеме
режиме
вах
канала
происходит
термодинамического
вольт
диффузии
Año:
2015
Idioma:
russian
Archivo:
PDF, 3.38 MB
0 / 3.0
russian, 2015
38
Физика полупроводниковых приборов

Физика полупроводниковых приборов

Викулин И.М., Стафеев В.И.
рис
тока
носителей
напряжения
ток
перехода
области
заряда
транзистора
базы
электронов
напряжение
полупроводника
уменьшается
вольт
базе
сопротивления
сопротивление
типа
диода
ростом
область
эмиттера
концентрации
дырок
приводит
вследствие
коллектора
качестве
поля
определяется
температуры
происходит
переход
поверхности
характеристики
канала
увеличивается
меньше
объемного
проводимости
следовательно
поле
транзисторов
коэффициент
концентрация
направлении
инжектированных
изменение
соответственно
Año:
1990
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 5.51 MB
0 / 0
russian, 1990
39
Физика полупроводниковых приборов

Физика полупроводниковых приборов

Викулин, Иван Михайлович, Стафеев, Виталий Иванович, авт
рис
тока
носителей
напряжения
перехода
ток
области
заряда
транзистора
базы
электронов
напряжение
полупроводника
вольт
уменьшается
базе
сопротивления
сопротивление
типа
диода
ростом
область
концентрации
эмиттера
дырок
приводит
вследствие
коллектора
поля
качестве
определяется
температуры
происходит
переход
поверхности
характеристики
канала
увеличивается
меньше
проводимости
объемного
следовательно
поле
транзисторов
коэффициент
концентрация
направлении
изменение
инжектированных
соответственно
Año:
1990
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 6.95 MB
0 / 0
russian, 1990
40
Основы электротехники и электроники. В 5-ти частях

Основы электротехники и электроники. В 5-ти частях

Гоков А.М., Жидко Е.А., Вдовёнков В.Ю.
рис
ток
тока
напряжения
носителей
транзистора
излучения
заряда
напряжение
области
электронов
полупроводника
структуры
базы
перехода
называют
дырок
сопротивление
оптического
проводимости
полупроводник
транзисторов
канала
диода
используют
неосновных
режиме
электроны
относительно
область
электронно
затвором
цепи
типа
элементов
температуры
имс
валентной
электрического
излучение
коэффициент
транзистор
характеристики
соответственно
биполярного
слоя
включении
характеристик
основные
электроники
Año:
2006
Idioma:
russian
Archivo:
PDF, 2.24 MB
0 / 0
russian, 2006
41
Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов

Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов

Челноков В.
тока
структуры
рис
ток
носителей
области
перехода
напряжения
управления
заряда
дырок
вольт
базе
инжекции
переход
базы
переходе
электронов
выражение
область
включения
структура
структуру
типа
направлении
напряжение
величина
характеристики
получаем
токов
переключения
неосновных
прибора
структур
концентрации
ния
током
рекомбинации
выражения
объемного
слоя
на­
прямом
распределение
триода
величины
базовой
переходов
определяется
структуре
Idioma:
russian
Archivo:
PDF, 9.26 MB
0 / 0
russian
42
Физика полупроводниковых приборов

Физика полупроводниковых приборов

Зи С.
рис
тока
области
напряжения
ток
носителей
транзистора
gaas
заряда
перехода
структуры
electron
зависимость
напряжение
типа
барьера
пробоя
примеси
характеристики
приведены
электронов
поля
концентрации
коэффициент
слоя
вольт
зависимости
область
определяется
exp
проводимости
канала
плотность
транзисторы
phys
металл
devices
выражение
мдп
насыщения
ферми
транзисторов
поле
приборов
дырок
полупроводника
значения
полупроводник
отметим
усиления
Año:
1984
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 10.25 MB
0 / 0
russian, 1984
43
Полупроводниковые приборы микро- и наноэлектроники : учебное пособие

Полупроводниковые приборы микро- и наноэлектроники : учебное пособие

Колосницын, Б. С.
тока
рисунок
напряжения
транзистора
ток
носителей
области
перехода
напряжение
заряда
эмиттера
базы
канала
мопт
электронов
транзисторов
стока
шоттки
базе
область
сопротивление
опз
величина
коллектора
типа
неосновных
структуры
моп
переход
дырок
следовательно
полупроводника
насыщения
exp
коэффициент
диода
рисунке
транзисторы
бтиз
емкости
эмиттер
концентрация
тиристора
режиме
затвора
инжекции
истока
коллекторного
определяется
полупроводник
Idioma:
russian
Archivo:
PDF, 9.56 MB
0 / 0
russian
44
Интегральные схемы: Материалы, приборы, изготовление

Интегральные схемы: Материалы, приборы, изготовление

Тилл У.С., Лаксон Д.Т.
рис
типа
моп
кремния
слоя
примеси
напряжение
схем
диффузии
слой
напряжения
транзистора
области
транзистор
схемы
электронов
ток
тока
базы
носителей
поверхности
концентрации
перехода
уровень
транзисторы
пластины
элементов
вентиля
окисла
мкм
заряда
диффузия
логических
сопротивление
подложки
кмоп
температуре
прибора
транзисторов
обедненного
концентрация
коэффициент
слое
дырок
значения
кремний
помощью
атом
цифровых
процесс
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 13.02 MB
0 / 0
russian
45
Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах

Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах

Вавилов В. С., Ухин H. А.
тока
дефектов
носителей
рис
облучения
энергии
электронов
области
транзисторов
атомов
излучения
облучении
базы
изменения
зависимость
типа
энергия
зависимости
скорость
ния
концентрации
напряжения
энергией
уровней
перехода
германия
результате
ток
центров
кремния
кремнии
проводимости
величины
материала
неосновных
phys
диодов
передачи
нейтронов
заряда
радиационных
атома
коэффициента
температуре
значения
потока
работе
ионизации
ного
транзистора
Año:
1969
Idioma:
russian
Archivo:
PDF, 48.38 MB
0 / 0
russian, 1969
46
Измерения параметров полупроводниковых материалов

Измерения параметров полупроводниковых материалов

Ковтонюк Н.Ф., Концевой Ю.А.
измерения
образца
носителей
тока
рис
метод
сопротивления
поля
проводимости
типа
работе
поверхности
германия
удельного
образец
области
кремния
измерений
сопротивление
образцов
заряда
полупроводника
поглощения
концентрации
метода
ния
величина
phys
мкм
зависимость
методом
поверхностной
холла
полупроводников
схема
помощью
зависимости
определения
методы
напряжения
коэффициент
контакта
ток
сигнал
полупроводниковых
примесей
позволяет
электронов
изме
ной
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 14.16 MB
0 / 0
russian
47
Конструкция и расчет микросхем и микроэлементов ЭВА

Конструкция и расчет микросхем и микроэлементов ЭВА

Пономарев Михаил Федорович
рис
элементов
транзистора
области
конструкции
подложки
сопротивление
перехода
кристалла
область
структуры
мдп
сопротивления
транзисторов
микросхемы
резисторов
типа
корпуса
определяется
поверхности
бис
резистора
полупроводниковых
базы
емкости
слоя
тока
напряжения
проводников
помощью
подложка
информации
коэффициент
напряжение
позволяет
размеры
носителей
пленки
микросхем
слой
элементы
областей
связи
конденсатора
кристаллов
емкость
мкм
ток
выводов
конструкция
Año:
1982
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 4.60 MB
0 / 0
russian, 1982
48
Физические основы микроэлектроники

Физические основы микроэлектроники

Епифанов Г. И.
рис
электронов
носителей
полупроводника
проводимости
области
тока
электрона
ферми
перехода
энергии
решетки
концентрация
число
заряда
энергия
дырок
поля
поверхности
получим
частиц
рекомбинации
ток
типа
область
зоне
уровни
газа
состояний
уровень
распределения
температуры
равна
называется
поле
концентрации
уровня
валентной
вследствие
частицы
электроны
переход
состояния
направлении
системы
кристалла
атомов
зон
слоя
полупроводнике
Año:
1971
Idioma:
russian
Archivo:
DJVU, 4.37 MB
0 / 0
russian, 1971
49
Физика полупроводниковых приборов: лабораторный практикум

Физика полупроводниковых приборов: лабораторный практикум

Блинов В И
тока
рис
транзистора
напряжения
носителей
перехода
заряда
ток
характеристики
области
напряжение
диода
базы
характеристик
диодов
вольт
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
переход
цкб
базе
эмиттера
канала
const
базой
концентрации
полупроводника
переходом
неосновных
дырок
uзи
переходе
передачи
поля
схеме
транзисторов
электрического
называют
напряжении
насыщения
цепи
сопротивление
транзисторы
коллектора
стока
электронно
Idioma:
russian
Archivo:
PDF, 1.53 MB
0 / 0
russian
50
Физика полупроводниковых приборов: лабораторный практикум (220,00 руб.)

Физика полупроводниковых приборов: лабораторный практикум (220,00 руб.)

Блинов В И
тока
рис
транзистора
напряжения
носителей
перехода
заряда
ток
характеристики
области
напряжение
диода
базы
характеристик
диодов
вольт
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
переход
цкб
базе
эмиттера
канала
const
базой
концентрации
полупроводника
переходом
неосновных
дырок
uзи
переходе
передачи
поля
схеме
транзисторов
электрического
называют
напряжении
насыщения
цепи
сопротивление
транзисторы
коллектора
стока
электронно
Idioma:
russian
Archivo:
PDF, 1.54 MB
0 / 0
russian